Diode laser induced chemical vapor deposition of WSix on TiN from WF6 and SiH4

Desjardins, P.; Izquierdo, R. et Meunier, M. (1993). « Diode laser induced chemical vapor deposition of WSix on TiN from WF6 and SiH4 ». Journal of Applied Physics, 73(10), pp. 5216-5221.

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Résumé

Presents a study that reported the development of a compact and inexpensive laser direct writing system for the deposition of tungsten and tungsten silicides using a 1 W diode laser array emitting at 796 nm. Reason for the difficulty to introduce laser processing in a manufacturing environment; Problems related to the use of diode lasers; Characteristics of the lines obtained in both static and dynamic reactors.

Type:	Article de revue scientifique
Mots-clés ou Sujets:	Lasers, tungsten, diodes
Unité d'appartenance:	Faculté des sciences > Département d'informatique
Déposé par:	Ricardo Izquierdo
Date de dépôt:	11 févr. 2016 14:35
Dernière modification:	20 avr. 2016 19:28
Adresse URL :	http://archipel.uqam.ca/id/eprint/7791

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