Laser-chemical vapor deposition of W Schottky contacts on GaAs using WF6 and SiH4

Tabbal, Malek; Meunier, Michel; Izquierdo, Ricardo; Beau, Bénédicte et Yelon, Arthur (1997). « Laser-chemical vapor deposition of W Schottky contacts on GaAs using WF6 and SiH4 ». Journal of Applied Physics, 81(10), pp. 6607-6611.

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Résumé

Reports on the deposition of tungsten on gallium arsenide (GaAs) using a low-temperature laser-chemical vapor deposition process. Induction of metallic W formation from a gas mixture; Columnar structure shown by scanning electron microscopy of the W films; Schottky diodes obtained during a laser based resistless projection patterning process on GaAs.

Type:	Article de revue scientifique
Mots-clés ou Sujets:	Tungsten, gallium arsenide, chemical vapor deposition, schottky-barrier diodes
Unité d'appartenance:	Faculté des sciences > Département d'informatique
Déposé par:	Ricardo Izquierdo
Date de dépôt:	11 févr. 2016 14:36
Dernière modification:	20 avr. 2016 19:27
Adresse URL :	http://archipel.uqam.ca/id/eprint/7790

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