Controlled CVD growth of two-dimensional MoS2 films

Sharata, Dalal (2018). « Controlled CVD growth of two-dimensional MoS2 films » Mémoire. Montréal (Québec, Canada), Université du Québec à Montréal, Maîtrise en chimie.

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Résumé

Les matériaux 2D tels que les monocouches de dichalcogénures de métaux de transition (TMDs) ont attiré beaucoup d'attention en raison de leurs propriétés électroniques uniques et de leurs utilisations potentielles dans diverses applications en optique et en optoélectronique. Ces dichalcogénures représentent une alternative aux autres types de matériaux 2D tels que le graphène. Les monocouches de dichalcogénures de métaux de transition adoptent une structure simple de formulation MX2 (M = Mo, W, X = S, Se). Ces matériaux MX2 sont tous des composés lamellaires et composés de feuillets bidimensionnels similaires à celle du graphite. Chaque feuillet est composé des cations métalliques M insérés entre deux plans d'anions X. Les liaisons M-X sont de nature covalente, tandis que les liaisons entre feuillets sont de types Van der Waals. Dans le présent projet, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) a été utilisé pour synthétiser le disulfure de molybdène (MoS2) à différentes températures. La qualité du MoS2 obtenue à diverses conditions de croissance a été systématiquement étudiée. Dans ce sens, des méthodes de caractérisation de surfaces telles que la spectroscopie et la cartographie Raman, la microscopie électronique à balayage (MEB), l'imagerie optique, la microscopie à force atomique (AFM) et la spectrométrie photo-électronique de rayon X ont été utilisées. Ce travail de recherche présente une méthode simple et efficace pour réaliser la croissance des matériaux 2D tels que le MoS2 sur un substrat solide (SiO2/Si). Le MoS2 possède une largeur de bande appréciable en tant que couches actives pour des applications reliées à l'électronique logique et l'optoélectronique. Ce type de matériau peut également être une composante active pour diverses applications liées à la production de l'énergie propre comme l'hydrogène. ______________________________________________________________________________ MOTS-CLÉS DE L’AUTEUR : Croissance de MoS2, Déposition Chimique en Phase Vapeur, Métal de Transition Dichalcogénures, Transistor à Effet de Champs

Type:	Mémoire accepté
Informations complémentaires:	Le mémoire a été numérisé tel que transmis par l'auteur.
Directeur de thèse:	Siaj, Mohamed
Mots-clés ou Sujets:	Disulfure de molybdène -- Synthèse / Dépôt chimique en phase vapeur / Dichalcogénures de métaux de transition / Couches monomoléculaires
Unité d'appartenance:	Faculté des sciences > Département de chimie
Déposé par:	Service des bibliothèques
Date de dépôt:	28 nov. 2018 14:50
Dernière modification:	28 nov. 2018 14:50
Adresse URL :	http://archipel.uqam.ca/id/eprint/11922

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